| 发明名称 |
Verfahren zum Herstellen eines Transistors mit einem heterogenen Zonenuebergang und mit einem Driftfeld |
| 摘要 |
|
| 申请公布号 |
DE1288198(B) |
申请公布日期 |
1969.01.30 |
| 申请号 |
DE1965I029029 |
申请日期 |
1965.09.21 |
| 申请人 |
INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORP. |
发明人 |
NIEN YU, HWA |
| 分类号 |
H01L21/205;(IPC1-7):H01L7/34 |
主分类号 |
H01L21/205 |
| 代理机构 |
|
代理人 |
|
| 主权项 |
|
| 地址 |
|
