| 主权项 |
1﹒一种具有实质上中性反射可见光颜色的薄膜干涉滤光器,其包含:一透明基材,一厚度为200至500埃且折射率为2﹒0至2﹒7实质上透明的第一介电层,一第一金属预涂属,一银、金、铜或铂的部份反射金属层,一第二金预涂层,及一厚度为200至500埃之实上透明的第二介尾层;其中该第一与第二介电层之至少一层的厚度为300至500埃,且含60至95重量比氮化矽与一或多种选自氮化锆、氮化钛及氮化铪之他种氮化物的复合体;其中其他的该第一与第二介电层系含二氧化钛、氮化矽或该复合体;且其中该金属预涂层为镍、铬、钨、铂或其混合物。2﹒根据申请专利范围第1项之薄膜干涉滤光器,其中该第一介电层包含二氧化钛。3﹒根据申请专利范围第1项之薄膜干涉滤光器,其中该第一介电层包含氮化矽。4﹒根据申请专利范围第1项之薄膜干涉滤光器,其中该第一介电层是由氮化矽及氮化锆所组成的复合体。5﹒根据申请专利范围第1项之薄膜干涉滤光器,其中该第一介电层是由氮化矽及一种或一种以上选自氮化銛,氮化钛,及钛化铪的其他氮化物所组成的复合体,其中,该第一介电层包含60至95重量百分率的氮化矽。6﹒根据申请专利范围第2项之薄膜干涉滤光器,其中该第二介电层包含氮化矽,且其中,第一介电层的厚度为200至500埃之间,且第二介电府的厚度在350至500埃之间。7﹒根据申请专利范围第2项之薄膜干涉滤光器,其中该第二介电层是由氮化矽及氮化错所组成的复合体,且其中,第一介电层的厚度为200至500埃之间,且第二介电层的厚度在350至500埃之间。8﹒根据申请专利范围第2项之薄膜干涉滤光器,其中该第二介电层是由氮化矽及一种以上选自氮化锆,氮化钛及氮化铪的其他氮化物所组成的复合体,且其中,第二介电层包含60至95重量百分率的氮化矽,且其中,第一介电层的厚度为200至500埃,且第二介电层的厚度为300至500埃。9﹒根据申请专利范围第3项之薄膜干涉滤光器,其中该第二介电层包合氮化矽,且其中,第一介电层的厚度在200至500埃之间,且第二介电层的厚度在350至500埃之间。10﹒根据申请专利范围第3项之薄膜干涉滤光器,其中该第二介电层是由氮化矽及氮化锆所组成的复合体,且其中,该第一介电层的厚度为200至500埃之间,且第二介电层的厚度在300至500埃之间。11﹒根据申请专利范围第3项之薄膜干涉滤光器,其中该第二介电层是由氮化矽及一种以上选自氮化锆,氮化钛及氮化铪的其他氮化物所组成的复合组,且其中,该第二介电层包含有60至95重量百分率的氮化矽,且其中,该第一介电层的厚度为200至500埃,且第二介电层的厚度在300至500埃。12﹒根据申请专利范围第5项之薄膜干涉滤光器,其中该第二介电层包含氮化矽,且其中,第一介电层的厚度为200至500埃之间,且第二介电层的厚度为350至500埃之间。13﹒根据申请专利范围第5项之薄膜干涉滤光器,其中该第二介电层是由氮化矽及氮化锆所组成的复合体,且其中,第一介电层之厚度在200至500埃之间,且第二介电层的厚度在300至500埃之间。14﹒根据申请专利范围第5项之薄膜干涉滤光器,其中该第二介电层是由氮化矽及一种以上选自氮化锆,氮化钛及氮化铪的其他氮化物所组成的复合体,且其中,该第二介电层包含60至95重量百分率的氮化矽,且其中,该第一介电层的厚度为200至500埃,且第二介电层的厚度在350至500埃。15﹒根据申请专利范围第8,11或14项任一项之薄膜干涉滤光器,其中,一或二者的金属预涂层是由选自镍,铬,钨及铂的金属所形成,且其中,该部份反射的金属层是由选自银,金,铜及铂的金属所形成。16﹒根据申请专利范围第15项之薄膜干涉滤光器,其中一或二者的预涂层是金属膜,其中,金属元素包含有80至95重量百分率镍及5至20重量百分率锆。17﹒一种在透明基材上生产耐久薄膜干涉滤光器的方法,而该派光器具有大致上中性反射可见光的颜色,此方法包括依序的下列步骤:将一厚度为200至500埃且折射率在2﹒0至2﹒7的实质上透明的第一介电层反应性溅射在该基材上,淀积出第一金属预涂层,淀积出一银、金、铜或铂的部份反射性的金属层,淀积出第二金属预涂层,接着将一厚度为200至500埃之实质上透明的第二保护性介质电层反应性溅射至该金属预涂层之上,其中该第一与第二介电层之至少一层的厚度为300至500埃,且含60至95重量比氮化矽与一或多种选自氮化锆、氮化钛及氮化铪之他种氮化物的复合体其中其他的该第一与第二介尾层系含二氧化钛、氮化矽或该复合体;且其中该金属预涂层为镍、铬、钨、铂或其混合物。18﹒根据申请专利范围第17项的生产耐久薄膜干涉滤光器的方法,其中,反应性溅射出该第二介电层的步骤包括下列步骤:(a)提供旋转圆柱型磁控管,此磁控管具有涂覆矽的靶及以相对于该基材的垂直方向30至80度角度配置之磁性工具,及(b)将该基材朝该磁控管移动,使得该溅射反应性材料以如该基材趋近靶的锐角中于基材上,以降低所形成之复合介电层的内应力。图示简单说明:图1a是依据本发明所制得五层设计薄膜干涉滤光器的截面图。图1b是说明薄膜干涉滤光器的光谱透射比及光谱反射比用的图。图2是阴极组件的截面图。图3是说明一复合薄膜在可见光范围内的光谱透射比用的图。图4是说明一复合薄膜在可见光范围内的光谱反射比用的图。图5是说明一复合薄膜在可见光范围内的光谱吸收用的图。 |
