| 发明名称 |
DISPOSITIF PHOTODETECTEUR A SEMI-CONDUCTEUR ET PROCEDE DE FABRICATION, ET ANALYSEUR D'IMAGE COMPORTANT UN TEL DISPOSITIF |
| 摘要 |
<P>L'INVENTION A POUR OBJET UN DISPOSITIF DE DETECTION D'UN RAYONNEMENT INCIDENT (VISIBLE, ULTRAVIOLET OU INFRAROUGE) A SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCEDE DE FABRICATION.</P><P>CE DISPOSITIF COMPORTE PRINCIPALEMENT UN RESEAU D'ELEMENTS DETECTEURS 2 DU TYPE DIODES MESA REALISES SUR UN SUBSTRAT 1 SEMI-CONDUCTEUR, ET, ENTRE CES DIODES, UNE COUCHE MINCE 5 D'UN MATERIAU ISOLANT ET OPAQUE AU RAYONNEMENT INCIDENT L.</P><P>L'INVENTION EST NOTAMMENT APPLICABLE A L'ANALYSE D'IMAGE.</P>
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| 申请公布号 |
FR2464563(A1) |
申请公布日期 |
1981.03.06 |
| 申请号 |
FR19790021903 |
申请日期 |
1979.08.31 |
| 申请人 |
THOMSON CSF |
发明人 |
JEAN PHILIPPE REBOUL ET MICHEL VILLARD;VILLARD MICHEL |
| 分类号 |
H01L27/146;H01L31/0216;H01L31/10;(IPC1-7):H01L31/02;H01L31/18 |
主分类号 |
H01L27/146 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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