| 摘要 |
Le circuit intégré (IC) comprend dans un substrat (F) semiconducteur, un dispositif actif (DA) de confinement d'un flux lumineux comportant une nervure de confinement (NC) séparée de deux zones dopées (ZD) par deux tranchées (T), chaque zone dopée (ZD) comportant une zone de prise de contact (PC) sur une face supérieure (FS) de cette zone dopée (ZD). Chaque tranchée (T) s'évase depuis sa paroi de fond (PF) vers la face supérieure (FS) de la zone dopée (ZD) correspondante. |
