FORMATION DE CONTACTS OHMIQUES POUR UN DISPOSITIF DOTE D'UNE REGION EN MATERIAU III-V ET D'UNE REGION EN UN AUTRE MATERIAU SEMI-CONDUCTEUR

摘要

Réalisation de zones de contacts pour un dispositif à transistors comprenant des étapes de : a) former au moins une couche en un composé à base de semi-conducteur et de métal sur une ou plusieurs première(s) régions semi-conductrice(s) d'un premier transistor de type N et sur une ou plusieurs deuxième(s) région(s) semiconductrices d'un deuxième transistor de type P reposant sur un même substrat, les premières régions étant à base d'un matériau de type III-V tandis que les deuxièmes régions semi-conductrices sont à base d'un autre matériau différent du matériau III-V, le semi-conducteur du composé étant un dopant de type N du matériau III-V, b) effectuer au moins un recuit thermique de sorte à former sur les premières régions semi-conductrices des premières zones (74) de contact et sur les deuxièmes régions semi-conductrices des deuxièmes zones (76) de contact à base à base de composé de semi-conducteur et de métal tout augmentant le dopage N du matériau III-V