发明名称 PHOTOELECTRIC CONVERSION FILM SOLID-STATE IMAGING ELEMENT AND ELECTRICAL DEVICE
摘要 [과제] 촬상 특성이 향상한 광전 변환막, 고체 촬상 소자, 및 전자 기기를 제공한다. [해결 수단] 하기 일반식(1)으로 표시되는 서브프탈로시아닌 유도체를 포함하는, 광전 변환막. 상기 일반식(1)에서, X는, 할로겐, 히드록시기, 티올기, 아미노기, 치환 또는 무치환의 알콕시기, 치환 또는 무치환의 아릴옥시기, 치환 또는 무치환의 알킬기, 치환 또는 무치환의 알킬아민기, 치환 또는 무치환의 아릴아민기, 치환 또는 무치환의 알킬티오기, 및 치환 또는 무치환의 아릴티오기로 이루어지는 군에서 선택되는 어느 하나의 치환기이고, R∼R은, 서로 독립하여, 치환 또는 무치환의 환 구조이고, R∼R중 적어도 하나 이상은, 상기 환 구조 중에 적어도 하나 이상의 헤테로 원자를 포함한다.
申请公布号 KR20170020773(A) 申请公布日期 2017.02.24
申请号 KR20167034854 申请日期 2015.04.16
申请人 소니 세미컨덕터 솔루션즈 가부시키가이샤 发明人 에노키 오사무
分类号 H01L31/032;C07D487/22;H01L27/146;H01L31/0232;H01L31/10 主分类号 H01L31/032
代理机构 代理人
主权项
地址