发明名称 具有压力释放开口的薄膜包覆电子器件
摘要 薄膜包覆电子器件具有电子器件单元和外壳薄膜。该外壳薄膜包括由外壳薄膜的相对表面围绕电子器件单元的外围热熔化在一起而形成的密封区域,将电子器件封装在密封区域内部的电子器件单元容纳部分,和形成为与电子器件单元容纳部分相连通的、被形成为内凹形的未熔化部分。该外壳薄膜还包括与未熔化部分接触的应力集中部分和形成在应力集中部分中的压力释放部分,其中应力集中部分用于在其上集中由于电子器件单元容纳部分的膨胀而在密封区域中产生的外壳薄膜的剥离应力。
申请公布号 CN1641903A 申请公布日期 2005.07.20
申请号 CN200510005729.9 申请日期 2005.01.17
申请人 NECLAMILION能源株式会社 发明人 水田政智;屋个田弘志;乙幡牧宏;及川清和;万久俊彦
分类号 H01M2/08;H01M2/02 主分类号 H01M2/08
代理机构 中原信达知识产权代理有限责任公司 代理人 穆德骏;黄启行
主权项 1、一种薄膜包覆电子器件,具有电子器件单元和被设置用于包装所述电子器件单元以密封所述电子器件单元的外壳薄膜,所述外壳薄膜包括,通过使所述外壳薄膜的相对表面在所述外壳薄膜的整个周边围绕所述电子器件单元的外围热熔化在一起而形成的密封区域;形成在所述密封区域内侧的电子器件单元容纳部分,作为封装所述电子器件单元的空间;与所述电子器件单元容纳部分相连通的至少一个未熔化部分,并且其形状为朝向所述电子器件单元容纳部分开口的内凹形;与所述未熔化部分接触的应力集中部分,用于在其上集中所述外壳薄膜的剥离应力,所述剥离应力是由于随着所述电子器件部分容纳部分的内部压力的升高,所述电子器件单元容纳部分发生膨胀而产生的;以及形成在所述应力集中部分中的压力释放部分,用于通过剥离所述外壳薄膜使所述电子器件单元容纳部分的内部对其外部开口。
地址 日本神奈川