发明名称 |
薄膜晶体管及其制造方法、具有薄膜晶体管的液晶显示面板及电发光显示面板 |
摘要 |
TFT包括栅极、活性层、源极、漏极、和缓冲层。栅极形成在基板上,活性层形成在栅极上。形成在活性层上的源极和漏极分离预定距离。缓冲层形成在活性层与源极及漏极之间。缓冲层具有对应于缓冲层厚度的基本连续变化的含量比。缓冲层被形成以抑制活性层的氧化,并降低接触电阻。 |
申请公布号 |
CN1956225A |
申请公布日期 |
2007.05.02 |
申请号 |
CN200610152496.X |
申请日期 |
2006.10.09 |
申请人 |
三星电子株式会社 |
发明人 |
金秉浚;梁成勋;吴旼锡;崔在镐;崔龙模 |
分类号 |
H01L29/786(2006.01);H01L21/336(2006.01);H01L27/15(2006.01);H01L27/32(2006.01);G02F1/136(2006.01) |
主分类号 |
H01L29/786(2006.01) |
代理机构 |
北京康信知识产权代理有限责任公司 |
代理人 |
李伟 |
主权项 |
1.一种薄膜晶体管,包括:栅极,形成在底部基板上;活性层,形成在所述栅极上,以覆盖所述栅极;源极和漏极,形成在所述活性层上,所述源极与所述漏极分开预定距离;以及缓冲层,形成在所述活性层与所述源极之间以及所述活性层与所述漏极之间,所述缓冲层被形成以抑制所述活性层的氧化。 |
地址 |
韩国京畿道 |