发明名称 薄膜晶体管及其制造方法、具有薄膜晶体管的液晶显示面板及电发光显示面板
摘要 TFT包括栅极、活性层、源极、漏极、和缓冲层。栅极形成在基板上,活性层形成在栅极上。形成在活性层上的源极和漏极分离预定距离。缓冲层形成在活性层与源极及漏极之间。缓冲层具有对应于缓冲层厚度的基本连续变化的含量比。缓冲层被形成以抑制活性层的氧化,并降低接触电阻。
申请公布号 CN1956225A 申请公布日期 2007.05.02
申请号 CN200610152496.X 申请日期 2006.10.09
申请人 三星电子株式会社 发明人 金秉浚;梁成勋;吴旼锡;崔在镐;崔龙模
分类号 H01L29/786(2006.01);H01L21/336(2006.01);H01L27/15(2006.01);H01L27/32(2006.01);G02F1/136(2006.01) 主分类号 H01L29/786(2006.01)
代理机构 北京康信知识产权代理有限责任公司 代理人 李伟
主权项 1.一种薄膜晶体管,包括:栅极,形成在底部基板上;活性层,形成在所述栅极上,以覆盖所述栅极;源极和漏极,形成在所述活性层上,所述源极与所述漏极分开预定距离;以及缓冲层,形成在所述活性层与所述源极之间以及所述活性层与所述漏极之间,所述缓冲层被形成以抑制所述活性层的氧化。
地址 韩国京畿道