发明名称 浅沟槽绝缘之修饰方法
摘要 一种STI沟槽衬层之修饰方法,根据上述方法,一基底系进行蚀刻,以形成一STI沟槽,且一线氧化层系藉由氧化技术形成于沟槽表面,此方法更包括在形成线氧化层之前,使用含氮气体预处理沟槽表面;在线氧化层形成之后进行氮化线氧化层;或是在形成线氧化层之前使用含氮气体预处理沟槽表面,且在线氧化层形成之后进行氮化线氧化层。根据本发明之衬层修饰方法,其可最佳化STI结构之反转窄宽度效应(inverse narrowwidth effect,INWE)和闸极氧化完整性(gate oxide intergrity,GOI),且防止杂质在后续制程中扩散入线氧化层。
申请公布号 TW200631127 申请公布日期 2006.09.01
申请号 TW094133515 申请日期 2005.09.27
申请人 台湾积体电路制造股份有限公司 发明人 陈建豪;张世勋;陈佳麟;李资良;陈世昌
分类号 H01L21/76 主分类号 H01L21/76
代理机构 代理人 洪澄文;颜锦顺
主权项
地址 新竹市新竹科学工业园区力行六路8号