互补式金属氧化物半导体晶体管的制作方法

摘要

本发明公开了一种互补式金属氧化物半导体(CMOS)晶体管的制作方法。该互补式金属氧化物半导体晶体管的制作方法是在完成栅极结构、轻掺杂漏极、源极/漏极掺杂区、或SEG工艺之后，分别利用回蚀刻工艺回蚀刻覆盖第一型栅极结构的硬掩模层，以减少覆盖第一型与第二型栅极结构的硬掩模层的厚度差，因此后续工艺中因移除硬掩模层对栅极结构所造成的影响，以及对侧壁子甚或STI的耗损可有效避免。

主权项

1.一种互补式金属氧化物半导体晶体管的制作方法，包含有以下步骤：提供基底，在该基底上形成至少一第一型栅极结构与第二型栅极结构，该栅极结构分别包含有栅极介电层、栅极导电层、与硬掩模层；进行源极/漏极形成工艺，在该第一型栅极结构两侧的该基底内分别形成第一型源极/漏极掺杂区，并在该第二型栅极结构两侧的该基底内分别形成第二型源极/漏极掺杂区；进行回蚀刻工艺，以回蚀刻并薄化该第一型栅极结构上的该硬掩模层；进行蚀刻工艺，通过图案化覆盖层蚀刻该第二型栅极结构两侧的该基底，以分别形成凹槽；以及进行选择性外延生长工艺，以在该凹槽内分别形成外延层。