发明名称 Bridge diode and methods for fabrication the same
摘要 본 발명의 실시예에 따른 브릿지 다이오드를 제공한다. 브릿지 다이오드는 기판 상에 순차적으로 적층되는 제 1 하부 질화막 및 제 1 상부 질화막을 포함하는 제 1 구조, 상기 기판 상에 순차적으로 적층되는 제 2 하부 질화막 및 제 2 상부 질화막을 포함하는 제 2 구조, 상기 제 1 구조 상에 배치되는 제 1 전극 구조체 및 상기 제 2 구조 상에 배치되는 제 2 전극 구조체를 포함하고, 상기 제 1 전극 구조체는 시계방향으로 배열되는 제 1 전극, 제 2 전극 및 제 3 전극을 포함하고, 상기 제 2 전극 구조체는 시계방향으로 배열되는 제 4 전극, 제 5 전극 및 제 6 전극을 포함하고, 상기 제 1 전극과 상기 제 6 전극 및 상기 제 3 전극과 상기 제 4 전극은 서로 연결되어 외부 회로와 연결되고, 제 2 전극과 제 5 전극은 각각 외부 회로와 연결된다.
申请公布号 KR20170012861(A) 申请公布日期 2017.02.03
申请号 KR20160007195 申请日期 2016.01.20
申请人 한국전자통신연구원 发明人 정동윤;이현수;고상춘;김민기;나제호;남은수;박영락;박준보;이형석;장현규;전치훈
分类号 H01L29/861;H01L29/66;H01L29/778 主分类号 H01L29/861
代理机构 代理人
主权项
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