| 摘要 |
반도체 장치 및 그 제조 방법이 제공된다. 반도체 장치는 반도체 기판 상에서 서로 수직하는 제 1 방향 및 제 2 방향을 따라 서로 이격되어 배열된 게이트 전극들로서, 상기 게이트 전극들은 상기 제 1 방향에서 장축을 갖는 것; 상기 제 1 방향을 따라 연장되며, 상기 게이트 전극들의 측벽들을 덮는 게이트 스페이서들; 및 상기 제 1 방향에서 인접하는 상기 게이트 전극들 사이와 상기 제 2 방향에서 인접하는 상기 게이트 스페이서들 사이에 배치된 게이트 분리 패턴들을 포함한다. |
