SILICON NITRIDE FILM, PRODUCTION METHOD THEREFOR, AND PRODUCTION DEVICE THEREFOR

摘要

유기 실란을 원료로 하고, 플라스마 CVD법에 의해 형성되는 질화 실리콘막의 실리콘 원자와 질소원자 함유량에 대한 탄소원자 및/또는 수소원자 함유량비를 경감할 수 있고, 전기특성 등의 막의 질 향상을 도모하는 것이 가능한 방법을 제공한다. 본 발명의 하나의 질화 실리콘막은 플라즈마 CVD법을 사용하며 유기 실란과 함께 수소 및 암모니아의 군에서부터 선택되는 적어도 1종의 첨가 가스를 플라스마화함으로써 형성한다. 이 질화 실리콘막 중에 있어서의 실리콘 원자 함유량과 질소 원자 함유량을 합친 것을 1로 하였을 때의 탄소원자 함유량비는 0.8 미만이다. 또, 이 질화 실리콘 막 중에 있어서의 실리콘 원자 함유량과 질소 원자 함유량을 합치 것을 1로 하였을 때의 수소 원자 함유량비는 0.9 미만이다. 상기 질화 실리콘막에 의하면, 리크 전류의 저감 등의 특성을 개선되기 때문에, 상기 질화 실리콘막을 구비한 각종 디바이스의 신뢰성 향상을 실현할 수 있다.