| 摘要 |
본 발명은 페녹시 사이클로트리포스파젠 활성 에스테르, 무할로겐 수지 조성물 및 그 용도에 대하여 개시하였다. 상기 페녹시 사이클로트리포스파젠 활성 에스테르 아래와 같은 구조식을 가지는 물질을 적어도 65mol% 포함한다. 상기 무할로겐 수지 조성물은 중량부에 따라, 5~50중량부의 페녹시 사이클로트리포스파젠 활성 에스테르, 15~85중량부의 열경화성 수지, 1~35중량부의 경화제, 0~5중량부의 경화촉진제 및 0~100중량부의 무기충진제를 포함한다. 본 발명은 열경화성 수지에 페녹시 사이클로트리포스파젠 활성 에스테르를 도입함으로써, 활성 에스테르가 에폭시 수지 등과 반응하여 히드록시기를 생성하지 않는 점을 이용하여, 무할로겐의 난연성 요구에 만족할 수 있을 뿐만 아니라 시스템의 전기적 성능(Dk 및 Df를 낮추고 안정시킴)을 개선할 수 있으므로 고주파 고속 기판 재료의 무할로겐화를 가능케 하였다. |
