| 摘要 |
트랜지스터, 집적 회로 및 집적 회로의 제조 방법이 제공된다. 다양한 실시형태에 있어서, 트랜지스터는 소스 전극, 적어도 하나의 반도체 채널, 게이트 전극, 드레인 전극 및 드레인 패드를 포함한다. 소스 전극은 기판 내에 배치된다. 반도체 채널은 소스 전극에 실질적으로 수직으로 연장된다. 게이트 전극은 반도체 채널을 둘러싼다. 드레인 전극은 반도체 채널의 상단 상에 배치된다. 다중 도전성층을 포함하는 드레인 패드가 드레인 전극 상에 배치된다. |
