| 主权项 |
1.一种TEOS沉积室液体源气化监控方法,该方法至少 包含下列步骤: 利用固定压力伺服系统,校正沉积室帮浦系统以使 该沉积室之压力基准为第一预设压力;及 导入固定流量之TEOS液体并经气化后注入沉积室, 并量取沉积室之压力,若压力至少达第二预设压力 即认为液体源气化合于要求,若压力未达第二预设 値即发出警示信号。 2.如申请专利范围1之方法,其中上述之利用固定压 力伺服系统,校正帮浦系统之基准步骤,至少包含: 导入一固定流量之携带气体于该沉积室;及 节流阀依据该第一预设压力调整节流阀门之角度 。 3.如申请专利范围第2项之方法,其中上述之固定流 量之携带气体系以氦气体为携带气体,且流量约为 800-1200sccm。 4.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之第一预 设压力约为2-5 torr。 5.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之定流量 之TEOS液体约为700-1000 mg/m。 6.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之第二预 设値系依据上述之沉积室压力与TEOS液体流量关系 而设定。 7.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之第二预 设压力値约为7-7.5 torr。 8.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之气化步 骤系以液体气化阀(injection valve;简称IV)气化TEOS气 体。 9.一种TEOS沉积室液体源气化监控方法,该方法至少 包含下列步骤: 以第一流量导入携带气体于沉积室,并设定伺服帮 浦之压力为第一预设压力; 静候第一参考时间,以等待沉积室稳定; 节流阀依据第一预设压力自我调整节流阀门之角 度以使该沉积室维持于该第一预设压力状态; 以第二流量导入TEOS液体并经气化后导入沉积室, 并静候第二参考时间以使该沉积室之压力稳定;及 量取沉积室之压力,若压力至少达第二预设压力値 即认为液体源气化合于要求,若压力达预设値即发 出警示信号,量度沉积室之压力,当沉积室之压力 低于第二预设压力,发出警示信号。 10.如申请专利范围第9项之方法,其中上述之以第 一流量导入携带气体步骤系导入氦气体,流量约为 800-1200sccm。 11.如申请专利范围第9项之方法,其中上述之其中 上述之第一预设压力约为2-5 torr。 12.如申请专利范围第9项之方法,其中上述之第一 参考时间约10-15秒。 13.如申请专利范围第9项之方法,其中上述之第二 流量系约为700-1000mg/m。 14.如申请专利范围第9项之方法,其中上述之第二 参考时间约8-10秒。 15.如申请专利范围第9项之方法,其中上述之第二 预设压力値约为7-7.5 torr。 16.如申请专利范围第9项之方法,其中上述之气化 步骤系以液体气化阀(injection valve;简称IV)气化TEOS 气体。 图式简单说明: 图一显示TEOS沉积室和液体源、LFM与IV阀之间关系 图。 图二显示传统不同沉积室由于帮浦效率未归一化 沉积室压力和TEOS液体导入量的关系图。 图三显示依据本发明之方法,帮浦效率经校基准线 后,沉积室压力和TEOS液体导入量的关系图。 |
