| 主权项 |
1.一种制造快闪记忆体单元之方法,包含下列步骤: 于半导体基板之给定区域处,堆叠一隧道氧化膜, 一第一多晶矽膜,一介电质膜,一第二多晶矽膜以 及一矽化钨膜,以形成其中堆叠着浮动闸极与控制 闸极之堆叠闸极; 藉快速热硝化作用法,于该半导体基板上及该堆叠 闸极之侧面,形成氮化物膜;以及 藉杂质离子布植法,于该半导体基板之给定区域处 ,形成接面区。 2.如申请专利范围第1项之方法,其中该隧道氧化膜 乃藉着在温度范围为750至800℃下执行湿氧化法,然 后再使用氮,于温度范围为900至910℃下执行退火20~ 30分钟而形成。 3.如申请专利范围第1项之方法,其中使用SiH4气及PH 3气Si2H6气及PH3气,于温度500~620℃,压力0.1~1托下,形 成该第一多晶矽膜。 4.如申请专利范围第1项之方法,其中该第一多晶矽 膜的形成为磷的浓度是1.0E20~3.0E20原子/立方公分 。 5.如申请专利范围第1项之方法,其中该介电质膜是 堆叠下氧化膜,氮化物膜及上氧化膜而形成。 6.如申请专利范围第5项之方法,其中该下氧化膜乃 使用DCS(SiH2Cl2)气及N2O气或DCS气及NO气作为气体源, 在温度810至850℃,压力1~3托下,以LPCVD法而形成。 7.如申请专利范围第5项之方法,其中该氮化物膜乃 使用Si3N4及N2O气或Si3N4及NO气作为气体源,在温度810 至850℃,压力1~3托下,以LPCVD法而形成。 8.如申请专利范围第5项之方法,其中该上氧化膜乃 使用DCS(SiH2Cl2)气及N2O气或DCS气及NO气作为气体源, 在温度810至850℃,压力1~3托下,以LPCVD法而形成。 9.如申请专利范围第1项之方法,其中该第二多晶矽 膜乃使用SiH4气体,Si2H6及PH2气体,在温度530至550℃, 小于1托压力下,以LPCVD法而形成。 10.如申请专利范围第1项之方法,其中该快速热硝 化作用法乃在温度范围900至1000℃,压力1~5托下执 行。 11.如申请专利范围第1项之方法,其中该快速热硝 化作用法乃使用100~150℃/秒之波尖退火执行之。 12.如申请专利范围第1项之方法,其中该氮化物膜 所形成之厚度小于50埃。 图式简单说明: 图1A~图1C是用以解释本发明制造快闪记忆体单元 之方法之半导体装置的剖面图。图2说明一临限电 压的变化。 |
