发明名称 微影装置及元件制造方法
摘要 本发明揭示一种EUV投影系统,其中反射镜的位置系相对于彼此而非相对于一参考框架加以量测并控制。安装在该等反射镜之刚性延伸部分上的干涉仪或电容感应器可进行相对位置量测。
申请公布号 TWI243290 申请公布日期 2005.11.11
申请号 TW093109278 申请日期 2004.04.02
申请人 ASML公司 发明人 亨利克斯 贺门 马里 克克斯;多明哥 贾库博 皮特 安祖亚 法兰肯;JACOBUS PETRUS ADRIANUS;尼克拉斯 鲁多夫 坎博;英尔博 安东尼 法兰西斯 范 德 保齐;ENGELBERTUS ANTONIUS FRANSISCUS;马丁恩 乔汉斯 范宝;兰博特 安祖亚 范 丹 威丹博;ADRIANUS
分类号 G03F7/20 主分类号 G03F7/20
代理机构 代理人 陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项 1.一种微影投影装置,其包括:-一辐射系统,其用以提供一辐射投影光束;-一支撑结构,其用以支撑图案化构件,该图案化构件用来依据一所需图案将该投影光束图案化;-一基板台,其用以固持一基板;以及-一投影系统,其用以将该图案化光束投影至该基板之一目标部分上;其中该辐射系统及/或该照明系统包括至少第一及第二光学部件,以及用以将该等第一及第二光学部件维持在预定位置的一定位系统;其特征为该定位系统包括至少一位置感应器,用以直接量测至少该第一光学部件相对于该第二光学部件之相对位置,藉此该定位系统将该等第一及第二光学部件维持在一预定相对位置。2.如申请专利范围第1项之装置,其中该定位系统包括至少一干涉仪位移量测元件,用以量测该等第一及第二光学部件之该(等)相对位置及/或方位。3.如申请专利范围第2项之装置,其中该等光学部件之至少一者具有一刚性延伸部分,用以承载一干涉仪光束的一光束引导部件。4.如申请专利范围第1项之装置,其中该等第一及第二光学部件之至少一者具有一刚性延伸部分,其接近该等第一及第二光学部件之另一者或其一延伸部分,并且该定位系统包括光学或电容规尺或类比电容感应器,其系安装在该(等)刚性延伸部分及/或该(等)光学部件上,以量测该等第一及第二光学部件之该等相对位置。5.如申请专利范围第1、2、3或4项之装置,其进一步包括一参考框架,并且其中该定位系统包括一量测元件,用于量测该第一光学部件相对于该参考框架之位置。6.如申请专利范围第5项之装置,其中该定位系统包括第一及第二驱动器,用以分别将该等第一及第二光学部件位移;以及第一及第二控制器,用以分别控制该等第一及第二驱动器,该第一控制器系对应于该第一光学部件相对于该参考框架之量测位置,而该第二控制器系对应于该等第一及第二光学部件之量测相对位置。7.如申请专利范围第5项之装置,其中该定位系统包括第一及第二驱动器,用以分别将该等第一及第二光学部件位移;以及第一及第二控制器,用以控制该等第一及第二驱动器,该第一控制器系对应于该第一光学部件相对于该参考框架之量测位置,而该第二控制器系对应于该第一光学部件相对于该参考框架之量测位置与该等第一及第二光学部件之量测相对位置的总和。8.如申请专利范围第5项之装置,其进一步包括一进一步的位移量测元件,用以量测图案化构件之该支撑结构及该基板台之至少一者相对于该参考框架之位置。9.如申请专利范围第1、2、3或4项之装置,其中该等第一及第二光学部件为反射器,例如多层反射镜。10.一种元件制造方法,其包括以下步骤:-提供至少部分由一层对辐射敏感的材料所覆盖之一基板;-采用一辐射系统提供一辐射投影光束;-采用图案化构件在该投影光束之断面上赋予该投影光束一图案;以及-采用一投影系统将该图案化辐射光束投影至该基板之一目标部分上;-其中该辐射系统及该投影系统之至少一者包括至少第一及第二光学部件,以及用以将该等第一及第二光学部件维持在预定位置的一定位系统,其特征在于以下步骤:直接量测该等第一及第二光学部件之该等相对位置;控制该等第一及第二光学部件之该等位置以回应其相对位置之该直接量测。图式简单说明:图1描述依据本发明之一具体实施例的一微影投影装置;图2为解说投影系统中一反射器之方位变化对基板层中影像位置的影响之一图式;图3更详细地描述图1的装置之投影系统的布局;图4描述图3的投影系统中光学部件的定位系统之基本组态;图5描述图4的定位系统之一变化;图6描述具有用以量测水平及垂直位移的附近垂直光束之二干涉仪的一配置;图7描述用以量测六自由度内一反射镜的位移之三对干涉仪的一配置;图8描述本发明之一第二具体实施例的投影系统;以及图9为图8的投影系统中刚性延伸部分之端部处的电容感应器之一配置的一放大图式。
地址 荷兰