发明名称 处理元件用之障壁层及其形成方法
摘要 为了减轻于处理系统中暴露的处理元件受处理腐蚀及于处理系统中基板之任何随后污染,将暴露于处理中的处理元件涂布保护障壁。保护障壁包括对电浆侵蚀有抵抗性的防护层,和改善保护层对处理元件之黏附力的黏合层,以减轻由保护层失效所可能发生的处理污染。
申请公布号 TWI243419 申请公布日期 2005.11.11
申请号 TW093107839 申请日期 2004.03.23
申请人 东京威力科创股份有限公司 发明人 盖瑞 艾斯彻;马克A 艾伦
分类号 H01L21/304 主分类号 H01L21/304
代理机构 代理人 周良谋 新竹市东大路1段118号10楼;周良吉 新竹市东大路1段118号10楼
主权项 1.一种处理元件上的保护障壁,用于实施一处理之处理系统中,包含:一黏合层,连结于该处理元件,其中该黏合层包含利用电浆电解氧化而形成的层;以及一保护层,连结于该黏合层及用来暴露于该处理。2.如申请专利范围第1项之处理元件上的保护障壁,其中,该黏合层包含Keronite。3.如申请专利范围第2项之处理元件上的保护障壁,其中,该Keronite包含一过渡层、一主要层、及一外层。4.如申请专利范围第3项之处理元件上的保护障壁,其中,在利用抛光、研磨、及喷粒之至少一种方式将该外层的至少一部份去除后,将该保护层连结于该黏合层。5.如申请专利范围第1项之处理元件上的保护障壁,其中,该保护层包括含有III行元素及镧系元素之至少一者的化合物。6.如申请专利范围第5项之处理元件上的保护障壁,其中,该III行元素包括钇、钪、和镧之至少一者。7.如申请专利范围第5项之处理元件上的保护障壁,其中,该镧系元素包括铈、镝、和铕之至少一者。8.如申请专利范围第1项之处理元件上的保护障壁,其中,该保护层包括Al2O3、氧化钇(Y2O3)、Sc2O3、Sc2F3、YF3、La2O3、CeO2、Eu2O3、和DyO3之至少一者。9.如申请专利范围第1项之处理元件上的保护障壁,其中,该处理元件包括金属、以矽为基本的材料、和陶瓷之至少一者。10.如申请专利范围第1项之处理元件上的保护障壁,其中,处理元件包括铝。11.如申请专利范围第1项之处理元件上的保护障壁,其中,该处理包括电浆。12.一种在处理元件上形成保护障壁的方法,应用于实施一处理之处理系统中,包含:涂布一黏合层至该处理元件,其中,该黏合层之涂布包含电浆电解氧化作用;以及涂布一保护层至该漆合层。13.如申请专利范围第12项之在处理元件上形成保护障壁的方法,其中该黏合层包含Keronite。14.如申请专利范围第13项之在处埋元件上形成保护障壁的方法,其中,该Keronite包含一过渡层、一主要层、及一外层。15.如申请专利范围第14项之在处理元件上形成保护障壁的方法,其中,利用抛光、研磨、及喷粒之至少一种方式将该外层去除。16.如申请专利范围第12项之在处理元件上形成保护障壁的方法,其中,该保护层包含一化合物含有III行元素及镧系元素之至少一者。17.如申请专利范围第16项之在处理元件上形成保护障壁的方法,其中,该III行元素包括钇、钪、和镧之至少一者。18.如申请专利范围第16项之在处理元件上形成保护障壁的方法,其中,该镧系元素包括铈、镝、和铕之至少一者。19.如申请专利范围第12项之在处理元件上形成保护障壁的方法,其中,该保护层包括Al2O3、氧化钇(Y2O3)、Sc2O3、Sc2F3、YF3、La2O3、CeO2、Eu2O3、和DyO3之至少一者。图式简单说明:图1说明根据本发明之实施例一电浆处理系统之示意方块图;图2呈现图1中所示电浆处理系统中一部份处理元件之放大横剖面图;及图3呈现根据本发明之实施例于电浆处理系统中的处理元件上形成保护层之方法。
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