发明名称 直流-直流软开关功率变换拓扑电路
摘要 一种直流——直流软开关功率变换拓扑电路,包括电压源V<SUB>in</SUB>、储能电感L<SUB>f</SUB>、主MOSFET开关管S、谐振电容C<SUB>r</SUB>、谐振电感L<SUB>r</SUB>、L’<SUB>r</SUB>、辅MOSFET开关管S<SUB>1</SUB>、主超快恢复二极管D、辅超快恢复二极管D<SUB>1</SUB>、输出滤波电容C和负载电阻R<SUB>load</SUB>。本发明的电路拓扑结构,保证了S<SUB>1</SUB>的开通是零电流开通D<SUB>1</SUB>,避免了D<SUB>1</SUB>的硬关断,提高了电路的效率。
申请公布号 CN1246747A 申请公布日期 2000.03.08
申请号 CN98117719.0 申请日期 1998.08.31
申请人 深圳市华为电气股份有限公司 发明人 赵林冲
分类号 H02M3/07 主分类号 H02M3/07
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 代理人 汪惠民
主权项 1、一种直流——直流软开关功率变换拓扑电路,其控制方式与现有的具有零电压转移特性的直流——直流变换器的控制方式相同,其电路包括电压源Vin、储能电感Lf、主MOSFET开关管S、谐振电容Cr、谐振电感Lr、辅MOSFET开关管S1、主超快恢复二极管D、辅超快恢复二极管D1、输出滤波电容C和负载电阻Rload,其特征在于:其电路还包括谐振电感L′r;直流——直流软开关升压电路:主MOSFET开关管S与谐振电容Cr并联再与谐振电感L′r串联构成一条支路,辅MOSFET开关管S1与谐振电感Lr串联构成一条支路,两条支路并联后再与电压源Vin、储能电感Lf串联,主超快恢复二极管D的阳极与主MOSFET开关管S的漏极相连,辅超快恢复二极管D1的阳极与辅MOSFET开关管S1的漏极相连,D的阴极与D1的阴极相连再与输出滤波电容C串联后接到电压源Vin的负极,负载电阻Rload并联在输出滤波电容C的两端,S的体二极管D3和S1的体二极管D2作为续流二极管;直流——直流软开关降压电路:主MOSFET开关管S与谐振电容Cr并联再与谐振电感L′r串联构成一条支路,辅MOSFET开关管S1与谐振电感Lr串联构成一条支路,两条支路并联后再与电压源Vin、储能电感Lf、输出滤波电容C串联,主超快恢复二极管D的阴极与主MOSFET开关管S的源极相连,辅超快恢复二极管D1的阴极与辅MOSFET开关管S1的源极相连,D的阳极与D1的阳极相连再与电压源Vin的负极相连,负载电阻Rload并联在输出滤波电容C的两端。
地址 518054广东省深圳市南山区科技园科技工业园大厦七楼