发明名称 | 用于改进响应的具有离轴基准层取向的磁存储器单元 | ||
摘要 | 一种磁存储器单元,包括具有易轴的数据存储层和具有固定于相对易轴的离轴方向的磁化取向的基准层。尽管有在数据存储层的边缘区域的磁化效应,但是这种结构在磁存储器单元的读取操作中增强了信号可获性。此外,采用这种结构,就可以通过使用方形存储器单元结构获得高磁随机存取存储器密度。 | ||
申请公布号 | CN1246708A | 申请公布日期 | 2000.03.08 |
申请号 | CN99118321.5 | 申请日期 | 1999.08.27 |
申请人 | 惠普公司 | 发明人 | M·K·巴塔查赖亚;J·A·布鲁格 |
分类号 | G11C11/02 | 主分类号 | G11C11/02 |
代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 王岳;王忠忠 |
主权项 | 1.一种磁存储器单元,包括:具有一个易轴的数据存储层;具有一固定在相对易轴的离轴方向上的磁化取向的基准层。 | ||
地址 | 美国加利福尼亚州 |