| 摘要 |
<p>Eine Reinigungsvorrichtung für die Halbleiterbauelementeproduktion ist mit zwei Zuführeinrichtungen versehen, mit denen jeweils ein fluides Medium über jeweils eine Oberfläche eines zu reinigenden Objekts (9), insbesondere eines Halbleiterproduktionsmittels, führbar ist, so dass sich unterschiedliche Seiten des Objektes (9) gleichzeitig reinigen lassen. In eine Reinigungskammer (42) münden zumindest zwei Gaszuführeinrichtungen (5) zur Einführung eines unter Überdruck stehenden Reinigungsgases. Die Gaszuführeinrichtungen (5) weisen jeweils ein Mittel (50) zur Richtung eines Gasstromes auf eine Oberfläche des zu reinigenden Objekts (9) auf. Aus der Reinigungskammer (42) führen zumindest zwei Absaugmittel (53) heraus, mit der in die Reinigungskammer (42) hineingeleitetes Gas abführbar ist. Das Objekt (9) ist durch zumindest einen Spalt (56) in die Reinigungskammer (42) einführbar. Mit zumindest zwei Ionisationsmittel (52) ist in der Reinigungskammer (42) befindliches Gas und Partikel ionisierbar, wobei sich jeweils Ionisationsmittel (52) zwischen jeweils einem Richtungsmittel (50) und einer Absaugeinrichtung (53) befindet.</p> |
