| 主权项 |
1.一种制备下式化合物之方法,其中R3选自包括:-NO2,-NH2,-NH-SO2-[4-三氟甲基啶-2-基],-N-(CH2-)2,-N(R3-1)(R3-2),其中R3-1与R3-2为相同或不同,而且为:-H,-CO-O-(第三-丁基),-CO-O-CH2-,-CO-CH3,-CO-,-Cl,-Br,-I,-OH,-O-SO2-CF3,其中n为0或1,其条件为:(1)在n为0时,R3基必须在间位置,及(2)在n为1时,R3基之一必须为-Cl,-Br,-I,-OH或-O-SO2-CF3,其中R4选自包括-H及-Si(CH3)3,其包含在一触媒之存在下,氢化下式化合物:其E-几何异构物或Z-与E-异构物之混合物(其中R3与R4如以上所定义),其中该触媒为下式触媒之(2R,5R)-镜像异构物:X1-Rh+-环辛二烯X2-其中X1选自包括:(1)BPE其中X1-1为-CH3或-C2H5,(2)DuPHOS其中X1-1如以上所定义;其中X2选自包括:(1)BF4-及(2)CF3-CO-O-,其中该氢化系在硷存在下进行。2.根据申请专利范围第1项之方法,其中使用(Ⅶ)之E/Z-异构物之混合物。3.根据申请专利范围第1项之方法,其中n为0。4.根据申请专利范围第1项之方法,其中R3为-NO2、-NH2及-N(R3-1)(R3-2)中R3-1与R3-2之一为-H且另一个为-CO-O-(第三-丁基)。5.根据申请专利范围第4项之方法,其中R3为-NO2。6.根据申请专利范围第1项之方法,其中R4为-H。7.根据申请专利范围第1项之方法,其中硷具有pKa>5。8.根据申请专利范围第1项之方法,其中硷选自包括氢氧化物、烷氧化物(其中烷基为C1-C5)、碳酸氢盐、碳酸盐、二-与三元磷酸盐、硼酸盐、氟化物及RaRbRcN,其中Ra、Rb与Rc为相同或不同,而且为:H-,C1-C4烷基,-,RdReRfSi-,其中Rd、Re与Rf为相同或不同,而且为C1-C3烷基,其条件为Ra、Rb与Rc中不超过一个为H-。9.根据申请专利范围第8项之方法,其中硷选自包括氢氧化物、甲氧化物、乙氧化物、第三-丁氧化物、第三-戊氧化物、第二-丁氧化物、二-与三元磷酸盐及碳酸盐。10.根据申请专利范围第8项之方法,其中硷为甲氧化物或碳酸盐。11.根据申请专利范围第1项之方法,其中硷以少于1当量之量存在。12.根据申请专利范围第11项之方法,其中硷以约0.1当量之量存在。13.根据申请专利范围第1项之方法,其中触媒具有式(2)DuPHOS。14.根据申请专利范围第1项之方法,其中X2为BF4-。15.根据申请专利范围第1项之方法,其中X1-1为-CH3。16.根据申请专利范围第1项之方法,其中基材/触媒之比例(莫耳数)为约200/1至5,000/1。17.根据申请专利范围第16项之方法,其中基材/触媒之比例(莫耳数)为约500/1至3,000/1。18.根据申请专利范围第17项之方法,其中基材/触媒之比例(莫耳数)为约1,000/1至2,000/1。19.根据申请专利范围第1项之方法,其中实行氢化之温度为约20至约120。20.根据申请专利范围第19项之方法,其中实行氢化之温度为约40至约80。21.根据申请专利范围第20项之方法,其中实行氢化之温度为约50至约65。22.根据申请专利范围第1项之方法,其中压力为约40至约1,000 psi。23.根据申请专利范围第22项之方法,其中压力为约70至约500 psi。24.根据申请专利范围第23项之方法,其中压力为约70至约90 psi。25.根据申请专利范围第1项之方法,其中触媒在接触式(Ⅶ)化合物、硷、溶剂及氢后加入。26.根据申请专利范围第25项之方法,其中触媒在接触式(Ⅶ)化合物、硷、溶剂及氢且达到反应温度后加入。27.根据申请专利范围第22项之方法,其中化合物(Ⅷ)为[3(R),6(R)]5,6-二氢-4-羟基-3-[1-(3-硝基苯基)丙基]-6-[1-(2-苯基)乙基]-6-丙基-2H-喃-2-酮。28.一种制备下式化合物之方法,(VIII)其中R3选自包括:-NO2,-NH2,-NH-SO2-[4-三氟甲基啶-2-基],-N-(CH2-)2,-N(R3-1)(R3-2),其中R3-1与R3-2为相同或不同,而且为:-H,-CO-O-(第三-丁基),-CO-O-CH2-,-CO-CH3,-CO-,-Cl,-Br,-I,-OH,-O-SO2-CF3;其中n为0或1,其条件为:(1)在n为0时,R3基必须在间位置,及(2)在n为1时,R3基之一必须为-Cl,-Br,-I,-OH或-O-SO2-CF3;其中R4选自包括Na+、K+、Li+、Cs+与(R4-1)4N+,其中R4-1为相同或不同,而且为CH2-、C2H5-、C4H9-、-CH2-与C8H17-,其包含在触媒之存在下,氢化下式化合物:其E-几何异构物或Z-与E-异构物之混合物(其中R3及R4如上所定义),其中该触媒为下式触媒之(2R,5R)-镜像异构物:X1-Rh+-环辛二烯X2-其中X1选自包括:(1)BPE其中X1-1为-CH3或-C2H5,(2)DuPHOS其中X1-1如以上所定义;其中X2选自包括:(1)BF4-及(2)CF3-CO-O-。29.根据申请专利范围第28项之方法,其中使用(Ⅶ)之E/Z-异构物之混合物。30.根据申请专利范围第28项之方法,其中n为0。31.根据申请专利范围第28项之方法,其中R3为-NO2、-NH2及-N(R3-1)(R3-2),其中R3-1与R3-2之一为-H且另一个为-CO-O-(第三-丁基)。32.根据申请专利范围第31项之方法,其中R3为-NO2。33.根据申请专利范围第28项之方法,其中R4为Na+、K+、Li+、Cs+与(R4-1)4N+。34.根据申请专利范围第28项之方法,其中触媒具有式(2)DuPHOS。35.根据申请专利范围第28项之方法,其中X2为BF4-。36.根据申请专利范围第28项之方法,其中X1-1为-CH3。37.根据申请专利范围第28项之方法,其中基材/触媒之比例(莫耳数)为约200/1至5,000/1。38.根据申请专利范围第37项之方法,其中基材/触媒之比例(莫耳数)为约500/1至3,000/1。39.根据申请专利范围第38项之方法,其中基材/触媒之比例(莫耳数)为约1,000/1至2,000/1。40.根据申请专利范围第28项之方法,其中实行氢化之温度为约20至约120。41.根据申请专利范围第40项之方法,其中实行氢化之温度为约40至约80。42.根据申请专利范围第41项之方法,其中实行氢化之温度为约50至约65。43.根据申请专利范围第28项之方法,其中压力为约40至约1,000 psi。44.根据申请专利范围第43项之方法,其中压力为约70至约500 psi。45.根据申请专利范围第44项之方法,其中压力为约70至约90 psi。46.根据申请专利范围第28项之方法,其中触媒在接触式(Ⅶ)化合物、硷、溶剂及氢后加入。47.根据申请专利范围第46项之方法,其中触媒在接触式(Ⅶ)化合物、硷、溶剂及氢且达到反应温度后加入。48.根据申请专利范围第28项之方法,其中化合物(Ⅷ)为[3(R),6(R)]5,6-二氢-4-羟基-3-[1-(3-硝基苯基)丙基]-6-[1-(2-苯基)乙基]-6-丙基-2H-喃-2-酮。 |
