| 摘要 |
本发明涉及一种积体储存单元阵列，其包括：半导体基板；多个单元电晶体元件，其中，这些单元电晶体元件包括：形成在所述半导体基板上的柱；围绕所述柱的闸沟槽；在所述柱上部区域形成的第一源极／汲极区；形成在所述闸极沟槽的底部并围绕所述柱的下部区域的闸极介电层；在所述闸极沟槽的所述闸极介电层上形成的闸极，其围绕所述柱的下部区域；以及形成在半导体基板的上部区域并与所述闸极沟槽邻接的所述第二源极／汲极区；多条位元线，被连接至所述单元电晶体元件的第一源极／汲极区的各自第一组；多条字线，连接第二组所述单元电晶体元件的各自的闸极；以及多个单元电容器元件，被连接至所述单元电晶体元件的第二源极／汲极区。 |
