发明名称 |
全背电极异质结太阳能电池 |
摘要 |
一种全背电极异质结太阳能电池,包括一第一导电型硅基板、一第一非晶半导体层、一第二非晶半导体层、一第一导电型半导体层、一第二导电型半导体层以及一第二导电型掺杂区。第一非晶半导体层位在硅基板的受光面上,其为本征半导体层或第一导电型层。第二非晶半导体层位在硅基板的非受光面上,其中第二非晶半导体层为本征半导体层。第一与第二导电型半导体层分别位在第二非晶半导体层上。至于第二导电型掺杂区则位在第二导电型半导体层下方的硅基板内并与第二非晶半导体层接触。 |
申请公布号 |
CN103137767B |
申请公布日期 |
2016.06.29 |
申请号 |
CN201210089491.2 |
申请日期 |
2012.03.27 |
申请人 |
财团法人工业技术研究院 |
发明人 |
吴德清;萧睿中;陈建勋;林景熙;丁密特·萨哈雷夫·丁密措夫 |
分类号 |
H01L31/0747(2012.01)I |
主分类号 |
H01L31/0747(2012.01)I |
代理机构 |
北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 |
代理人 |
祁建国;梁挥 |
主权项 |
一种全背电极异质结太阳能电池,其特征在于,包括:一第一导电型硅基板,具有一受光面与一非受光面;一第一非晶半导体层,位在该第一导电型硅基板的该受光面上,其中该第一非晶半导体层为本征半导体层或第一导电型层;一第二非晶半导体层,位在该第一导电型硅基板的该非受光面上,其中该第二非晶半导体层为本征半导体层;一第一导电型半导体层,位于该第二非晶半导体层上;一第二导电型半导体层,位于该第二非晶半导体层上;以及一第二导电型掺杂区,位于该第二导电型半导体层下方的该第一导电型硅基板内并与该第二非晶半导体层接触,该第二导电型掺杂区的结深度在0.001μm~1μm之间。 |
地址 |
中国台湾新竹县竹东镇中兴路四段195号 |