发明名称 |
METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE |
摘要 |
안정된 전기 특성을 갖는 박막 트랜지스터를 포함하는 신뢰성이 높은 반도체 장치를 제공하는 것이 목적이다. 높은 양산성과 저비용으로 신뢰성이 높은 반도체 장치를 제조하는 것이 또 다른 목적이다. 채널 형성 영역과 소스 영역 및 드레인 영역을 갖는 반도체층이 산화물 반도체층을 이용하여 형성되는 박막 트랜지스터를 포함하는 반도체 장치의 제조 방법에 있어서, 산화물 반도체층의 순도를 개선하고 수분과 같은 불순물을 저감하는 열 처리(탈수화 또는 탈수소화를 위한 열 처리)가 수행된다. 게다가, 열 처리가 수행된 산화물 반도체층은 산소 분위기하에서 서랭된다. |
申请公布号 |
KR101645061(B1) |
申请公布日期 |
2016.08.02 |
申请号 |
KR20127002437 |
申请日期 |
2010.06.17 |
申请人 |
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
发明人 |
사사끼 도시나리;사까따 준이찌로;오하라 히로끼;야마자끼 슌뻬이 |
分类号 |
G02F1/136;H01L21/336;H01L29/786 |
主分类号 |
G02F1/136 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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