发明名称 |
利用加热引发化学反应与扩散之化合物半导体及化合物绝缘体的制造方法,以此方法所得之化合物半导体及化合物绝缘体,以及应用该些材料的光电池、电 |
摘要 |
一种利用加热引发化学反应与扩散之化合物半导体及化合物绝缘体的制造方法,以此方法所得之化合物半导体及化合物绝缘体,以及应用该些材料的光电池、电子电路、电晶体及记忆体。该制造方法系先形成一积层结构,包括一介电层及其间之中间层,其中介电层含有氧与硫二者中的至少一者,且中间层含有对氧与硫二者中至少一者具高反应性的稀土族过渡金属。接着加热积层结构以使介电层及中间层互起化学反应与扩散,并且调整加热温度以分别形成化合物半导体及化合物绝缘体。上述光电池、电子电路、电晶体及记忆体则系进一步利用前述原理而制得。 |
申请公布号 |
TW200401344 |
申请公布日期 |
2004.01.16 |
申请号 |
TW092107058 |
申请日期 |
2003.03.28 |
申请人 |
三星电子股份有限公司;独立行政法人产业技术综合研究所 NATIONAL INSTITUTEOF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCE AND TECHNOLOGY (AIST) 日本 |
发明人 |
金朱镐;富永淳二 |
分类号 |
H01L21/225 |
主分类号 |
H01L21/225 |
代理机构 |
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代理人 |
詹铭文;萧锡清 |
主权项 |
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地址 |
韩国 |