| 摘要 |
本发明系关于一种电子零件的微结构化方法，其提供高解析度（≦200奈米）和良好纵横比，但实质上比照相平版印刷法更为经济。根据本发明之方法包含下列步骤：i）制造如申请专利范围第1项之奈米复合材料组成物之未固化的平面溶胶膜；ii）制造包含底涂b）和底质c）的目标底质；iii）藉微结构化的转移特征压印器将得自i）的溶胶膜材料转移至ii）中的底涂b）；iv）将转移的溶胶膜材料予以固化；v）移除转移特征压印器，以得到具特征的微结构作为顶涂a）。微结构化的半导体材料之制法另包含下列步骤：vi）残余的奈米复合材料溶胶膜层之电浆蚀刻，以使用CHF3／O2，电浆为佳，vii）底涂之电浆蚀刻，以使用O2电浆为佳，viii）蚀刻半导体材料或者将半导体材料掺入经蚀刻区域中。 |
