| 发明名称 |
IMPROVEMENT CONCERNING HIGH TEMPERATURE SECONDARY BATTERY |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
JPS53127647(A) |
申请公布日期 |
1978.11.08 |
| 申请号 |
JP19780033983 |
申请日期 |
1978.03.24 |
| 申请人 |
NAT RES DEV |
发明人 |
DENISU KOOTONII PAASONSU BAATO;KORIN ROBAATO FUERUSAMU;GURAHAMU HAZAADO;REONAADO JIYON PIASU |
| 分类号 |
H01M4/40;H01M6/20;H01M10/39 |
主分类号 |
H01M4/40 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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