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发明名称
Method of manufacturing a semiconductor integrated circuit device comprising an MOS transistor and a bipolar transistor
摘要
申请公布号
US4965220(A)
申请公布日期
1990.10.23
申请号
US19890306393
申请日期
1989.02.06
申请人
KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
发明人
IWASAKI, HIROSHI
分类号
H01L21/76;H01L21/225;H01L21/331;H01L21/8249;H01L27/06;H01L29/73;H01L29/732
主分类号
H01L21/76
代理机构
代理人
主权项
地址
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