半导体装置及其制作方法

摘要

本发明目的是获得具有良好的特性的薄膜晶体管。使镍元素与非晶质膜203的特定的区域205保持选择性地接连。采用施行加热处理的办法使之结晶化，再在含卤族元素的氧化性气氛中施行加热处理的办法形成热氧化膜。这时进行结晶性的改善和镍元素的吸杂。这种结晶性硅膜将变成具有从多点放射状地进行了结晶生长的那样的构造。于是可得到具有良好的特性的TFT。

主权项

1.一种半导体装置，包括：提供在基板上且在源极区和漏极区之间的沟道区；提供在所述基板上且与所述沟道区相邻提供的栅极电极，在所述栅极电极和所述沟道区之间有栅极绝缘膜；第一绝缘膜，包括提供在所述沟道区和所述源极区和所述漏极区和所述栅极电极以及所述栅极绝缘膜上的氮化硅；第二绝缘膜，提供在所述第一绝缘膜上并包括树脂以在所述第一绝缘膜上提供第一整平的表面；与所述漏极区连接并提供在所述第二绝缘膜上的漏极电极；与所述源极区连接并提供在所述第二绝缘膜上的源极电极；第三绝缘膜，提供在所述漏极电极和所述源极电极上并包括树脂以在所述漏极电极和所述源极电极上提供第二整平的表面；提供在所述第三绝缘膜上的黑色矩阵；第四绝缘膜，提供在所述黑色矩阵上并包括树脂以在所述黑色矩阵上提供第三整平的表面；像素电极，与所述漏极电极和所述源极电极之一连接并提供在所述第四绝缘膜上。