| 发明名称 | 半导体装置 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体装置，其可靠性优异的异质结双极晶体管等或者包含这种双极晶体管的半导体装置，具有不仅可以充分降低拐点电压(Vk)，而且容易形成基极接触，集电极的速度性能难以劣化的器件结构。该装置中至少具有发射极层、基极层和集电极层，所述发射极层和所述集电极层两者分别具有添加了高浓度杂质的高浓度薄层，这些高浓度薄层的杂质浓度比相邻的半导体层的杂质浓度要高。 | ||
| 申请公布号 | CN1956215A | 申请公布日期 | 2007.05.02 |
| 申请号 | CN200610137140.9 | 申请日期 | 2006.07.26 |
| 申请人 | 索尼株式会社 | 发明人 | 长谷伊知郎;泽田宪;上村正哉 |
| 分类号 | H01L29/73(2006.01);H01L29/737(2006.01) | 主分类号 | H01L29/73(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波 |
| 主权项 | 1.一种半导体装置，至少具有发射极层、基极层和集电极层，其特征在于，所述发射极层和所述集电极层两者分别具有添加了高浓度杂质的高浓度薄层，这些高浓度薄层的杂质浓度比相邻的半导体层的杂质浓度要高。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||