| 主权项 |
1.一种「具可调位障高度功能之双结构萧基二极体」,包括(a)一磊晶矽(n-/n+) 基板;(b)一层蒸镀于上述磊晶矽基板背面之欧姆性接触金属薄膜;(c)一层蒸镀于上述磊晶矽基板正面之部份区域,具有高位障之萧基金属;其中高位障萧基金属所覆盖区域系利用一次光阻制程及举离(lift-off)技术定义出;(d)一层蒸镀于上述已部份覆盖高位障萧基金层之磊晶矽基板上之低位障萧基金层,其中低位障萧基金属所覆盖区域系利用一次光阻制程及举离(lift-off)技术定义出;此双金属结构萧基二极体之特征,顺偏特性系由低位障金属所主宰,称偏特性系由高位障金属所决定,可兼得高位障金属低漏电电流、高崩溃电压及低位障金属高导通电流、低顺向压降,进而降低功率损耗之优点;再者,可藉高、低位障两种萧基金属之面积比,进行萧基位障高度之调变。2.如申请专利范围第1项所述之具可调位障高度功能之双金属结构萧基二极体,为期获得较大之有效位障调变范围,所采用高、低位障金属之位障高度须分别要求≧0.7V及≦0.5V者,亦即高、低萧基金属之位障差以≧0.2V。3.如申请专利范围第1项所述之具可调位障高度功能之双金属结构萧基二极体,为能同时获得高位障金属低漏电电流、高崩溃电压及低位障金属高导通电流、低顺向压降之优点,低位障萧基金属夹置于高位障萧基金属间之宽度1-10m;高位障萧基金属之宽度系5-100m。4.如申请专利范围第1项所述之具可调位障高度功能之双金属结构萧基二极体,为提高反偏下高位障萧基金属区之屏蔽效应,高位障萧基金属区之矽蚀刻深度系为1-1.5m。图式简单说明:第一图系本发明之双金属结构萧基二极体结构图。第二图系本发明之顺、反偏状况下传导电流与空乏区之分布示意图。(a)顺偏电流之可能分布(b)反偏电流之可能分布第三图系本发明之双金属结构萧基二极体制造程序图。(a)上第一道光阻(b)蒸镀高位障萧基金属(c)以丙酮处理(d)上第二道光阻(e)蒸镀低位障萧基金属(f)以丙酮处理第四图实施例所制得双金属(以 Au-Ag 为例)结构萧基二极体之上视图。第五图实施例所制得双金属(以 Au-Ag 为例)结构萧基二极体测量之实验特性曲线。1.银2.面积比 x=0.353.面积比 x=0.294.面积比 x=0.235.金第六图实施例所制得双金属(以 Au-Ag 为例)结构萧基二极体等效萧基位障与面积比之关系图。1.实验値(Experiment)2.合适曲线(Fitting curve)3.=0.42x2-0.74x+0.765第七图本发明双金属结构萧基二极体于最小功率损失之实例1.Jon=50A/cm22.Jon=10A/cm23.Jon=100A/cm2=160V最低功率损失点 Voff=160V |
