发明名称 |
中温脱附结合高温电浆氧化破坏戴奥辛类化合物之处理设备与方法 |
摘要 |
本发明系提供一种中温脱附结合高温电浆氧化破坏戴奥辛类化合物之处理设备与方法,采用中温脱附设备即避免受处理之灰渣或土壤接触高温浪费大量能源,而后续二燃室内的电浆火炬只负责处理被脱附之气态戴奥辛类化合物,如此可大幅节省能源,因此亦提高处理设备之实用价值;本发明之中温脱附温度设定于450-850℃之间,高温电浆氧化二燃室出口温度至少1200℃以上且气体停留时间至少三秒以上,后续接骤冷塔、石灰反应塔、活性碳喷入装置、及过滤袋集尘器,则烟囱出口戴奥辛类化合物之排放浓度可低于0.1 ng-I-TEQ/Nm3。 |
申请公布号 |
TW200736549 |
申请公布日期 |
2007.10.01 |
申请号 |
TW095109390 |
申请日期 |
2006.03.20 |
申请人 |
李文智;施明良 SHIH, MIN-LIANG 台南市东区裕农一街181号 |
发明人 |
李文智;施明良;王雅玢;张简国平;蔡政贤;王琳麒 |
分类号 |
F23G5/027(2006.01);F23G5/14(2006.01);F23J15/00(2006.01) |
主分类号 |
F23G5/027(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
刘建忠 |
主权项 |
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地址 |
台南市北区文成二街29号 |