像素结构的制作方法

摘要

本发明是关于一种像素结构的制作方法，包括下列步骤。首先，提供一基板，并形成栅极于基板上。接着，形成门介电层于基板上，以覆盖栅极。继之，形成半导体层于门介电层上，并提供一暴露出部分半导体层的第一遮罩于半导体层上方，使用激光照射以移除部分半导体层，而形成通道层。之后，形成源极以及漏极于栅极两侧的通道层上。接着，形成图案化保护层覆盖通道层并暴露出漏极。之后，形成导电层以覆盖图案化保护层与暴露的漏极，并通过图案化保护层使导电层图案化，以形成像素电极。

主权项

1.一种像素结构的制作方法，包括：提供一基板；形成一栅极于所述的基板上；形成一门介电层于所述的基板上，以覆盖所述的栅极；形成一半导体层于所述的门介电层上；提供一第一遮罩于所述的半导体层上方，且所述的第一遮罩暴露出部分的所述的半导体层；使用激光经由所述的第一遮罩照射所述的半导体层，以移除所述的第一遮罩所暴露的部分半导体层，而形成一通道层；形成一源极以及一漏极于所述的栅极两侧的所述的通道层上，其中所述的栅极、所述的通道层、所述的源极以及所述的漏极构成一薄膜晶体管；形成一图案化保护层于所述的薄膜晶体管上，以覆盖所述的通道层并暴露出所述的漏极；以及形成一导电层，以覆盖所述的图案化保护层与暴露的所述的漏极，并且通过所述的图案化保护层使所述的导电层图案化，以形成一像素电极。