| 主权项 |
1.一种电浆辅助低压化学气相沈积多层叠层氮化钛之金属接触层结构的方法,其中该金属接触层系作为积体电路接触孔中之金属阻障层,用于阻绝铝溅镀制程时铝与矽之交互扩散作用,该金属接触层包含一由化学气相沈积之金属钛层、利用电浆辅助低压化学气相沈积方式沈积之叠层氮化钛;其特征为该多层叠层氮化钛,系于温度500℃-700℃间选择氯化钛(TiCl4)、氨气(NH3)和一作为载剂之惰性气体,于气体总压50-300mTorr间,进行多层叠层氮化钛薄膜沈积。2.如申请专利范围第1项之方法,其中氯化钛与氨气之分压比为0.1-50:100。3.如申请专利范围第1项之方法,其中系可藉由改变氯化钛和氨气之分压比而沈积一种以上具不同结晶态的氮化钛。4.如申请专利范围第1项之方法,其中该多层叠层氮化钛的堆叠方式系依照氮化钛之结晶态而排列。5.如申请专利范围第1项之方法,其中该惰性气体系为Ar或He。图式简单说明:第一图所示为传统金属接触区之结构图;第二图所示为根据先前技艺,当高深宽比时:以物理气相溅镀薄膜沈积之接触区孔洞;第三图所示为根据本发明之金属接触区结构图;以及第四图所示为第三图中TiN膜层间之柱状结构扩大视图。 |
