发明名称 | 氮化储存记忆胞的多阶操作 | ||
摘要 | 一种多阶氮化储存记忆胞的程式化方法,适于储存对应多个不同临界电压位准之不同的程式化状态。此方法为,提供一可变电阻,以提供多个不同电阻值。而且,将氮化储存记忆胞的一汲极端与所选定之电阻值的其中之一连接,而每一电阻值对应这些临界电压位准的其中之一。并且,通过所选定之电阻值的其中之一来施加一程式化电压至氮化储存记忆胞的汲极端,程式化氮化储存记忆胞,以储存相对应临界电压位准其中之一的一种程式化状态。 | ||
申请公布号 | TW200814064 | 申请公布日期 | 2008.03.16 |
申请号 | TW095133981 | 申请日期 | 2006.09.14 |
申请人 | 华邦电子股份有限公司 | 发明人 | 陈柏安;杨宇国;庄子庆;廖修汉 |
分类号 | G11C16/06(2006.01) | 主分类号 | G11C16/06(2006.01) |
代理机构 | 代理人 | 詹铭文;萧锡清 | |
主权项 | |||
地址 | 新竹市新竹科学工业园区研新三路4号 |