用于控制多孔硅腐蚀深度的方法

摘要

用于控制多孔硅腐蚀深度的方法，涉及多孔硅材料。1)将硅片放入H₂SO₄和H₂O₂混合溶液中加热，然后将硅片取出按照先热水后冷水冲洗的顺序反复冲洗，最后将硅片置于HF和H₂O混合溶液中晃动，去除残留在硅片表面的氧化物，取出后冲洗，吹干；2)在步骤1)得到的硅片未抛光面磁控溅射Al膜，用于与直流电源的正极相接；3)将步骤2)得到的Al膜表面与电解槽底部接触，从而与直流电源正极连接，并把金属铂插入电解液中作为负极，腐蚀后得到多孔硅；4)将步骤3)得到的样品冲洗，烘干，得多孔硅。

主权项

用于控制多孔硅腐蚀深度的方法，其特征在于包括以下步骤：1)将硅片放入H₂SO₄和H₂O₂混合溶液中加热，然后将硅片取出按照先热水后冷水冲洗的顺序反复冲洗，最后将硅片置于HF和H₂O混合溶液中晃动，去除残留在硅片表面的氧化物，取出后冲洗，吹干；2)在步骤1)得到的硅片未抛光面磁控溅射Al膜，用于与直流电源的正极相接；3)将步骤2)得到的Al膜表面与电解槽底部接触，从而与直流电源正极连接，并把金属铂插入电解液中作为负极，腐蚀后得到多孔硅；4)将步骤3)得到的样品冲洗，烘干，得多孔硅。