| 发明名称 | 半导体发光器件 | ||
| 摘要 | 提供一种半导体发光器件。所述半导体发光器件包括多个化合物半导体层、电极层、导电支撑构件和第一缓冲构件。所述化合物半导体层包括第一导电半导体层、有源层和第二导电半导体层。所述电极层设置在所述多个化合物半导体层下方。所述导电支撑构件设置在所述电极层下方。所述第一缓冲构件嵌入所述导电支撑构件中以间隔开。 | ||
| 申请公布号 | CN103441199B | 申请公布日期 | 2016.08.10 |
| 申请号 | CN201310314297.4 | 申请日期 | 2010.02.20 |
| 申请人 | LG伊诺特有限公司 | 发明人 | 郑畴溶 |
| 分类号 | H01L33/12(2010.01)I;H01L33/48(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I;H01L33/62(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/12(2010.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 顾晋伟;董文国 |
| 主权项 | 一种半导体发光器件，包括：包括第一导电半导体层、有源层和第二导电半导体层的多个化合物半导体层；在所述多个化合物半导体层下方的电极层；在所述多个化合物半导体层和所述电极层之间的沟道层；在所述电极层下方的导电支撑构件；和嵌入所述导电支撑构件中以间隔开的第一缓冲构件；在所述第一导电半导体层上的电极；其中所述第一缓冲构件利用所述电极层物理地连接至所述多个化合物半导体层，其中所述沟道层包括进入所述多个化合物半导体层中的绝缘突起。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||