| 摘要 |
본 실시예의 반도체 기판 제조 방법은, 실리콘 웨이퍼를 도핑함으로써, 상기 실리콘 웨이퍼 내에 도핑층을 형성하는 단계; 상기의 도핑에 의하여 상기 실리콘 웨이퍼 상에 PSG층(Phosphorus Silicate Glass)이 형성되고, 상기 PSG층 상에 제 1 포토 레지스트 패턴을 형성하는 단계; 상기 제 1 포토 레지스트 패턴을 식각 마스크로 이용하여, 상기 PSG층 일부를 제거하는 단계; 상기 제 1 포토 레지스트 패턴을 제거하고, 상기 PSG층을 식각 마스크로 이용하여, 상기 도핑층 및 실리콘 웨이퍼 일부를 식각하는 단계; 상기의 남아있는 PSG층을 제거하는 단계; 상기 실리콘 웨이퍼와 도핑층 상에 산화막을 형성하는 단계; 및 상기 산화막의 일부를 제거하고, 상기 도핑층과 연결되는 전극을 형성하는 단계;를 포함한다. |
