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1.一种快闪记忆体促回抹去资料的方法,所应用之快闪记忆体系包含一源极区、一闸极区、汲极区以及一基板区,其方法如下:于该源极区接一正雷压,该闸极区接一负电压,而该汲极区与基板区接地,用以抹去该快闪记忆体储存之资料;其中该正电压系具周期性,其特征为:于一第一段时间内从一第一电位准升至一第二位准,继续于一第二段时间内从该第二电位准降至该第一电位准;该第一段时间加该第二段时间系为该正电压之周期。2.如申请专利范围第1项所述之快闪记忆体促回抹去资料的方法,其中该源极区系由一高度掺杂区及一轻度掺杂区组成。3.如申请专利范围第1项所述之快闪记忆体促回抹去资料的方法,其中该正电压之第一电位准为0伏特,第二电位准小于15伏特,周期介于10-9秒到10-1秒之间。4.如申请专利范围第3项所述之快闪记忆体促回抹去资料的方法,其中该正电压系由弦波(Sine wave)之正半周连续组合而成。5.如申请专利范围第3项所述之快闪记忆体促回抹去资料的方法,其中该正电压系为三角波(Trianglar wave)。6.如申请专利范围第1项所述之快闪记忆体促回抹去资料的方法,其中接于该闸极区之负压系为一介于-3到-15伏特之直流电压。图示简单说明:第一图:快闪记忆促回抹去资料的操作图。第二图:促回(snapback)的电流电压曲线。第三图:输入周期波示意。 |
