| 发明名称 | 高性能低温烧结陶瓷 | ||
| 摘要 | 本发明在电子陶瓷技术领域公开了一种高性能低温烧结陶瓷的配方Bi<SUB>3X</SUB>Zn<SUB>2(1-X)</SUB>Nb<SUB>2-X</SUB>O<SUB>7</SUB>，其中：0.45≤X≤0.67。这一系统陶瓷具有晶体结构和相组成简单，烧结温度低、烧结范围宽、介电常数高、介质损耗小、频率特性好、绝缘电阻高，介电常数温度系数系列化等优点，可用于通用陶瓷电容器及多层陶瓷电容器，直流和交流中、高压多层陶瓷电容器，以及微波介质谐振器的瓷料。 | ||
| 申请公布号 | CN1089247A | 申请公布日期 | 1994.07.13 |
| 申请号 | CN93121586.2 | 申请日期 | 1993.12.27 |
| 申请人 | 西安交通大学 | 发明人 | 王晓莉;姚熹;黄镳;蔡修凯 |
| 分类号 | C04B35/00;H01B3/12 | 主分类号 | C04B35/00 |
| 代理机构 | 西安交通大学专利事务所 | 代理人 | 田文英 |
| 主权项 | 1、高性能低温烧结陶瓷，由ZnO、Bi2O3、Nb2O5组成，分子通式为Bi3xZn2(1-x)Nb2-xO7，其特征在于各组份的含量为0.45≤X≤0.67。 | ||
| 地址 | 710049陕西省西安市咸宁路28号 | ||