发明名称 低杂讯场效电晶体
摘要 揭示一种场效电晶体(FET),具有一传导型之源极区,汲极区及通道区,在相反传导型之半导体本体中。通道区位于源极区及汲极区之最底端,以便藉由一距离d而与半导体本体表面隔开。
申请公布号 TW200631176 申请公布日期 2006.09.01
申请号 TW094134584 申请日期 2005.10.04
申请人 诺斯洛普葛鲁门公司 发明人 拿桑 巴司尔;当劳 R 兰波
分类号 H01L29/78;H01L29/10;H01L29/06;H01L21/74 主分类号 H01L29/78
代理机构 代理人 黄志扬
主权项
地址 美国