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经营范围
发明名称
低杂讯场效电晶体
摘要
揭示一种场效电晶体(FET),具有一传导型之源极区,汲极区及通道区,在相反传导型之半导体本体中。通道区位于源极区及汲极区之最底端,以便藉由一距离d而与半导体本体表面隔开。
申请公布号
TW200631176
申请公布日期
2006.09.01
申请号
TW094134584
申请日期
2005.10.04
申请人
诺斯洛普葛鲁门公司
发明人
拿桑 巴司尔;当劳 R 兰波
分类号
H01L29/78;H01L29/10;H01L29/06;H01L21/74
主分类号
H01L29/78
代理机构
代理人
黄志扬
主权项
地址
美国
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