发明名称 |
蚀刻光罩用含矽膜形成用组成物,蚀刻光罩用含矽膜及使用其之基板加工中间体及被加工基板之加工方法 |
摘要 |
本发明之解决手段系在被加工基板上形成下层膜,在其上形成含矽膜,进而在其上形成光阻膜后,在使用于进行多阶段蚀刻的多层光阻法之中间膜的含矽膜形成用组成物中,含有下述一般式(1)R(6-m)Si2Xm(1)(R为一价烃基,X为烷氧基,烷醯氧基或卤原子,m为6≧m≧3)所示之具有矽-矽键结之矽烷化合物,含有将水解性矽烷之单独或混合物予以水解缩合而得之含矽聚合物之蚀刻光罩用含矽膜形成用组成物。本发明之效果系,本发明之组成物,可形成在其上所形成的光阻良好的图型,在与有机材料之间可获得高蚀刻选择性。 |
申请公布号 |
TW200732845 |
申请公布日期 |
2007.09.01 |
申请号 |
TW095143063 |
申请日期 |
2006.11.21 |
申请人 |
信越化学工业股份有限公司 |
发明人 |
荻原勤;浅野健;岩渊元亮;上田贵史 |
分类号 |
G03F7/075(2006.01);G03F7/038(2006.01);G03F7/26(2006.01);H01L21/027(2006.01) |
主分类号 |
G03F7/075(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
林志刚 |
主权项 |
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地址 |
日本 |