发明名称 |
还原金属的方法、多层互连结构及其制造方法、半导体装置及其制造方法 |
摘要 |
本发明系于制造多层互连结构、半导体装置等之中提供一可靠、有效率之还原氧化金属的方法。利用此方法藉由水蒸气将包含至少一羧酸酯的蒸气水解,用以还原氧化金属。本发明之多层互连制造方法至少包括薄膜形成步骤、互连形成步骤以及使用本发明之金属还原法的还原步骤。本发明之多层互连结构系藉由本发明之多层互连结构制造方法所构成。本发明之半导体装置制造方法至少包括薄膜形成步骤、图案化步骤、互连形成步骤以及使用金属还原法的还原步骤。本发明之半导体装置至少包括本发明之多层互连结构,并系使用本发明之半导体装置制造方法而构成。 |
申请公布号 |
TW200736409 |
申请公布日期 |
2007.10.01 |
申请号 |
TW095130803 |
申请日期 |
2006.08.22 |
申请人 |
富士通股份有限公司 |
发明人 |
中田义弘 |
分类号 |
C23C16/06(2006.01);C23C16/44(2006.01);H01L21/768(2006.01) |
主分类号 |
C23C16/06(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
恽轶群;陈文郎 |
主权项 |
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地址 |
日本 |