| 发明名称 | 相变材料信息存储方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种相变材料信息存储方法，在电子显微镜中，通过控制位置及停留时间的电子束，在相变材料薄膜上辐照形成排列结晶点，并对其排列结晶点进行信息的读取。包括非晶相变材料薄膜以及支持部分，非晶相变材料薄膜沉积于支持部分上，薄膜均匀且平整，通过在透射电镜或者扫描电镜下，聚焦电子束的轰击，非晶相变薄膜上被轰击的点区域经历一定长的时间会形成晶化点，通过控制电子束位置，可以在小范围内获得晶化点的阵列，通过阵列中晶化点的排布变化实现信息的存储，其具有高密度及可反复擦写等特性。 | ||
| 申请公布号 | CN101354911A | 申请公布日期 | 2009.01.28 |
| 申请号 | CN200810119688.X | 申请日期 | 2008.09.05 |
| 申请人 | 北京工业大学 | 发明人 | 张泽;王珂;刘攀;成岩;韩晓东 |
| 分类号 | G11C11/56(2006.01) | 主分类号 | G11C11/56(2006.01) |
| 代理机构 | 北京思海天达知识产权代理有限公司 | 代理人 | 张慧 |
| 主权项 | 1.一种相变材料信息存储方法，其特征在于：在电子显微镜中，通过控制位置及停留时间的电子束，在相变材料薄膜上辐照形成排列结晶点，并对其排列结晶点进行信息的读取。 | ||
| 地址 | 100124北京市朝阳区平乐园100号 | ||