| 发明名称 | 光刻图案的形成方法和双镶嵌结构的制造方法 | ||
| 摘要 | 一种光刻图案的形成方法，包括：提供具有介质层的半导体基底，在所述介质层中具有第一开口；在所述第一开口中和介质层上形成第一材料层，所述至少填满所述第一开口；在所述第一材料层上形成第二材料层；在所述第二材料层上形成光刻胶层，并图形化该光刻胶层形成第二开口图案，至少一第二开口图案位于所述第一开口上方。本发明还提供一种双镶嵌结构的制造方法。本发明形成的光刻图案的线宽具有较好的一致性。 | ||
| 申请公布号 | CN101355034A | 申请公布日期 | 2009.01.28 |
| 申请号 | CN200710044343.8 | 申请日期 | 2007.07.27 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 郝静安 |
| 分类号 | H01L21/311(2006.01);H01L21/768(2006.01) | 主分类号 | H01L21/311(2006.01) |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 逯长明 |
| 主权项 | 1、一种光刻图案的形成方法，其特征在于，包括：提供具有介质层的半导体基底，在所述介质层中具有第一开口；在所述第一开口中和介质层上形成第一材料层，所述第一材料层至少填满所述第一开口；在所述第一材料层上形成第二材料层；在所述第二材料层上形成光刻胶层，并图形化该光刻胶层形成第二开口图案，至少一第二开口图案位于所述第一开口上方。 | ||
| 地址 | 201203上海市浦东新区张江路18号 | ||