发明名称 |
蚀刻后高分子残留物之移除方法与系统 |
摘要 |
一种从基板表面移除蚀刻后高分子残留物的方法与系统,包含确认一乾式瞬间化学品,该乾式瞬间化学品用以从基板的表面移除蚀刻后高分子残留物。该乾式瞬间化学品用以在透过一低介电常数介电膜层而形成一特征部的一区域内,选择性地移除由蚀刻操作所留下的该蚀刻后高分子残留物。使用短暂瞬间制程施加已确认的乾式瞬间化学品,以移除至少一部分的蚀刻后高分子残留物,而将介电膜层的损坏降至最低。然后将湿式清理化学品施加至基板的表面。湿式清理化学品的施加可协助实质上移除短暂瞬间制程所留下的剩余蚀刻后高分子残留物。 |
申请公布号 |
TW200926284 |
申请公布日期 |
2009.06.16 |
申请号 |
TW097126388 |
申请日期 |
2008.07.11 |
申请人 |
兰姆研究公司 |
发明人 |
尹石敏;马克 威尔克逊;朱济;庄英良;张校维;罗大宇 |
分类号 |
H01L21/306(2006.01);H01L21/30(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/306(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
许峻荣 |
主权项 |
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地址 |
美国 |