发明名称 记忆体读取电路与方法
摘要 本发明系有关一种记忆体读取电路,用以读取一具有2#sP!N#eP!种阻抗状态的记忆体电路,包括:一待测信号产生电路,侦测前述记忆体电路的阻抗状态,以产生一待测信号;一参考信号产生电路,侦测一具有2#sP!N-1#eP!个阻抗路径之参考电路的阻抗状态,以分别产生2#sP!N-1#eP!个参考信号;一中间值信号产生电路,接收前述2#sP!N-1#eP!个参考信号,以产生(2#sP!N-1#eP!)-1个中间值信号;以及一比较电路,用以比较前述待测信号与前述(2#sP!N-1#eP!)-1个中间值信号和2#sP!N-1#eP!个参考信号。本发明复提供一种记忆体读取方法。
申请公布号 TW200926167 申请公布日期 2009.06.16
申请号 TW096146013 申请日期 2007.12.04
申请人 财团法人工业技术研究院 发明人 王敏全;林志昇;苏耿立;张维钧
分类号 G11C11/14(2006.01) 主分类号 G11C11/14(2006.01)
代理机构 代理人 郭雨岚;林发立
主权项
地址 新竹县竹东镇中兴路4段195号