发明名称 堆叠式电容器的制造方法
摘要 一种堆叠式电容器的制造方法,系于基材上形成有介电层。介电层上形成有蚀刻终止层。蚀刻终止层为多晶矽(Poly-silicon),其上形成有复数柱状物。再于蚀刻终止层上形成下电极材料层(多晶矽),并覆盖柱状物。下电极材料层形成后,可使用蚀刻方式去除位于柱状物顶部的部分下电极材料层,以及位于相邻柱状物间部分的下电极材料层以及部分的蚀刻终止层,藉此,于每一柱状物的周缘以及下部形成下电极。将位于下电极内部的柱状物去除,即形成冠状(Crown)的下电极。于下电极上覆盖绝缘层,在于绝缘层上覆盖上电极,以形成一电容器结构。
申请公布号 TW200926358 申请公布日期 2009.06.16
申请号 TW096145984 申请日期 2007.12.03
申请人 茂德科技股份有限公司 发明人 余文福;陈志山;蔡健华
分类号 H01L21/8242(2006.01) 主分类号 H01L21/8242(2006.01)
代理机构 代理人 王宗梅
主权项
地址 新竹市新竹科学工业园区力行路19号3楼